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動作確認済みですのでこれからHF~50MHz帯でLDMOSの実験を予定されている方、特にIC705のリニアアンプの自作に最適です。
真空管リニアアンプも未だに使われていますが部品入手困難化や老朽化による絶縁不良の火災・感電事故等リスクを伴います。これを機会にLDMOSに移行してみてはいかがでしょうか。
LDMOSとしては枯れた50V系デバイスです。マルツ部販で現在5.7万円超えの価格です。RF FET LDMOS 110V 26.5DB SOT539A BLF574,112 Ampleon USA Inc.製|電子部品・半導体通販のマルツ (marutsu.co.jp)
デバイスデータはこちらを参照ください。https://www.ampleon.com/documents/data-sheet/BLF574.pdf
今回の出品は昨今流行っている量産向けの安価な黒色のプラスチックパッケージではなく従来からあるセラミック封入型のデバイスで高信頼のものです。
正規品デバイス2個分で10万円を超えますので非常にお得です。最近コロナの影響か半導体価格が軒並み上昇しております。海外製のハズレデバイスを掴まされないよう注意してください。
アンプの入力回路はコンベンショナルトランス式で出力トランスは言わずと知れたGuanella TLTバラン方式です。”Guanella TLT ”で検索すると理論等の文献が出てきますので習得されることを推奨します。広帯域故に高調波は出ますので適宜運用バンドを考慮したLPF挿入が必要になります。
21-28MHz帯だけで運用される場合には市販の32MHzカットオフのLPFがそのまま使えますが耐電力に気を付けてください。アンテナ系のインピーダンス管理が悪いとLPFは簡単に燃えますので注意してください。
出品物は3点です。※写真2枚目以降に写っているエキサイタを含め測定器等設備は出品物ではありません。
1.ヒートシンク付きPAユニット1個 サイズ 縦100×横140×高150(コネクタを除き突起物含む)
2.予備LDMOSFET BLF574 1個(国内正規品同一基板動作確認済からの取外品)
3.50V 20A電源 入力AC100V ※bias電源として+5Vが別途用意が必要です。温度補償回路はオンボードで実装済です。
出品にあたり軽く試験していみました。1.9~28MHz帯で2W~3Wドライブで出力500-600W50MHz帯で3Wドライブで出500W
効率は周波数により50~60%程度でデバイスデータ相応といったところでLDMOSならではの高利得です。入力VSWRは1.2以内で別途整合は必要ありません。これを体験するともはやバイポーラトランジスタ、真空管には戻れません。
ちなみに1デバイス1kWクラスのLDMOSが流行っていますが熱価が集中するのでヒートスプレッダに直接デバイスを半田付けする必要があるなど熱害対策が必須となります。またデバイス単価も高額かつ急騰しておりリスキーです。その点BLF574はPDが小さい分放熱が比較的簡単で手堅い選択と思います。
尚、今回実装の基板、LDMOSデバイス、ヒートシンクは国内調達品で安心してご利用頂けます。
昨今海外調達のRFデバイスは模造品や工場検査に除外の不合格品、携帯帯等の類似形状のリマーク品(これがかなり多いです!)、水没品などなんでもありで非常に危険です。購入の際には注意を要します。
このユニットはある程度の技術のある方を対象としております。返品はお受けできません。基本的な事項が分かっているかたのみ自己責任でお願いいたします。サポートは一切ありません。スプリアス対策に出力フィルタは別途必要です。落札者にて手配ください。
このユニットの使用によるいかなる損害(感電事故、電波障害等)も出品者は一切責任を負わないものとします。また、アンテナを接続して運用される場合は免許を取得してからお願いいたします。
落札後48時間以上連絡の無い方はこちらの判断で削除致しますのでご了承ください。発送迄3日ほどお時間を頂く場合がありますのでお急ぎの方は他で購入ください。